PropelleradsTransistor MOS PropelleradsPropellerads

منتدى جامعة البويرة - Forum université de Bouira

بسم الله الرحمن الرحيم

توكلت على الله

منتدى جامعة البويرة - Forum université de Bouira

دخول

لقد نسيت كلمة السر

المواضيع الأخيرة

» احدث واجدد كولكشن تصاميم ديكورات مشبات
الأحد 10 سبتمبر 2017, 12:57 من طرف kamelm

» مطابخ عصرية ومبتكرة من مؤسسة البيالي
الأحد 05 مارس 2017, 16:21 من طرف kamelm

» الامتحانات النهائية
السبت 04 مارس 2017, 07:42 من طرف محمد شهاب2008

» مواضبع امتحان اللغة الانجليزية مع الحلول
الجمعة 10 فبراير 2017, 17:40 من طرف المدير الشرفي للمنتدى

» مواضيع امتحان لعة فرنسية مع الحلول
الجمعة 10 فبراير 2017, 17:31 من طرف المدير الشرفي للمنتدى

» شركة نقل عفش بالمدينة المنورة 0556845966
الخميس 09 فبراير 2017, 21:25 من طرف kamelm

» صور مشبات ابو لؤي
الخميس 09 فبراير 2017, 18:30 من طرف kamelm

» 150 ملف حول الإدارة الشاملة
السبت 28 يناير 2017, 10:31 من طرف المدير الشرفي للمنتدى

» 150 ملف حول إدراة الموارد البشرية
السبت 28 يناير 2017, 10:31 من طرف المدير الشرفي للمنتدى


Transistor MOS

شاطر
avatar
Wissam
طالب جديد
طالب جديد

انثى
عدد المساهمات : 40
نقاط : 142
العمر : 25
التخصص : reseaux electrique

Transistor MOS

مُساهمة من طرف Wissam في الثلاثاء 28 أغسطس 2012, 02:01

INTRODUCTION
Avant
Transistor à effet de champ:
- Connu bien avant le bipolair
Technologie difficile à maîtriser
- VT
Réponse en fréquence loin d'atteindre les performances actuelles
- très dépendante des dimensions géométriqueS
- du processus de fabrication
Actuellement
Technologie MOS mieux maîtrisée
Technologie MOS supplante Bipolaire:
- Circuits logiques intégrés VLSI
- Certaines fonctions analogiques.

Avantages du MOS vis-à-vis du bipolaire

Coût technologique
Structure très simple (plus de 10
9
transistors sur 1 puce)
Surface réduite
Isolation naturelle
- Composants vis-à-vis des composants voisins,
- Pas de "caissons d'isolation »
Limitation du nombre d'étapes de fabrication
Coût de conception

Structure très simple (BIs
Coût d'exploitation

Consommation très faible En particulier pour les circuits CMOS
Divers

Très haute impédance d'entrée.
Possibilité de réaliser des fonctions complexes
- Moins de composants que les bipolaires
- Exemple : les mémoires dynamiques
Caractéristiques électriques du p-MOS

Le mode BLOQUE : VGS>VT & ID= 0
Le mode LINEAIRE : VGS<VT & VDS >VDSsat
Le mode SATURE : VGS<VT et VDS<VDSsat
Tension de seuil VT négative.
La tension de saturation VDSsat est aussi négative:
VDSsat= VGS - VT

    الوقت/التاريخ الآن هو الخميس 26 أبريل 2018, 17:53